特許

J-GLOBAL ID：200903056999439323

半導体装置とその製造方法

発明者： 木村 雄大
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220335
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058594
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップ及びバンプ用基板を有する半導体装置とそれを実装する基板との間の熱膨張係数差による応力を容易に分散できる半導体装置と製造方法を提供する。【解決手段】 基板実装用の複数のはんだボール2を有するバンプ用基板であるテープ4上に半導体チップ7を接着剤6を介して搭載した構造を有する半導体装置であって、テープ4のはんだボール2を形成した表面から溝1を設けたことを特徴とする。この溝1により応力が分散される。溝1は、テープ4を半導体チップ7に接合する前に、打ち抜きまたはテープ4を削ることによって形成される。

請求項（抜粋）：

基板実装用の複数のバンプを有するバンプ用基板上に半導体チップを接着剤を介して搭載した構造を有する半導体装置において、前記バンプ用基板の前記バンプを形成した表面から溝を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L

Fターム (14件)：

4M105AA02 ,  4M105AA03 ,  4M105AA04 ,  4M105AA10 ,  4M105AA12 ,  4M105AA18 ,  4M105AA23 ,  4M105BB04 ,  4M105BB11 ,  4M105FF02 ,  4M105FF03 ,  4M105FF04 ,  4M105GG12 ,  4M105GG18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-270239
  
• 特開平4-363811