特許
J-GLOBAL ID：200903057000025647
半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184958
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031783
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】固定枠があることによって生ずる小さな隙間に電界が集中することによる絶縁強度の低下を回避して所望の絶縁強度を確保する。【解決手段】固定枠47Aに第1の埋込電極51と第2の埋込電極52とを対向させて埋め込み、それぞれエミッタ側電極44とコレクタ側電極43の電位を与える構成を採用することによって、エミッタ側電極44と固定枠47との間に生ずる楔状の隙間101や、半導体チップの端部と固定枠との間に生ずる小さな隙間102などの電界集中が生ずる部分を、それぞれの埋込電極51,52が覆うような配置となってそれらの電界シールド効果によって、それぞれの隙間101,102の電界集中を緩和する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップが並べられて、これら半導体チップが第1の電極と、第2の電極との二つの電極で挟まれて一体化されてなり、それぞれの半導体チップの周囲を囲んで配置された絶縁体からなる固定枠を備えた半導体モジュールにおいて、第1の電極に電気的に接続された所定の断面形状の第1の埋込電極と、第2の電極に電気的に接続された所定の断面形状の第2の埋込電極とを、固定枠の中に所定の間隔を隔てて埋め込んでなることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件)：
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