特許

J-GLOBAL ID：200903057005551967

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 村井 利成 ,  飯野 栄一 ,  新井 英夫 ,  布施川 泉 ,  山岸 浩利
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319791
公開番号（公開出願番号）：特開平7-300388
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 機械的に複雑な装置等を用いることなく比較的簡易な方法で種絞りにおける種絞り部分の強度を高めることができ、破断の危険性を解消し、大口径かつ高重量の単結晶の引き上げを可能にしたチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法の提供を目的とする。【構成】 種結晶2に続くテーパー状の絞り込み部3の長さXを種結晶2の太さ寸法Aの2.5倍〜15倍の長さに保ち、該絞り込み部3に続く長尺な略円柱形状の絞り部5の直径Bを種結晶2の太さ寸法Aの0.09倍〜0.9倍(絞り部の直径が2.5mm未満のものを除く)の太さとし、その絞り部5の直径Bの変動幅を1mm以下に保ち、かつ前記絞り部5の長さYを200mm〜600mmの範囲に保って種結晶2の引き上げを行うチョクラルスキー法によるシリコン単結晶7の製造方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、種結晶を引き上げる際に、該種結晶に続くテーパー状の絞り込み部の長さを種結晶の太さ寸法の2.5倍〜15倍の長さに保ち、該絞り込み部に続く長尺な略円柱形状の絞り部の直径を種結晶の太さ寸法の0.09倍〜0.9倍(絞り部の直径が2.5mm未満のものを除く)の太さとし、その絞り部の直径の変動幅を1mm以下に保ち、かつ前記絞り部の長さを200mm〜600mmの範囲に保って種結晶を引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208