特許

J-GLOBAL ID：200903057005694741

メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法

発明者： 西原 孝史 ,  児島 理恵 ,  山田 昇
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-324150
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203392
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 多値の情報を記憶し、書き込みおよび読み出しの容易な相変化メモリを提供すること。【解決手段】 メモリ11は、電流パルスの印加による温度上昇に起因して結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する第1の記録層3と、第2の記録層5とを備える。第1の記録層3の結晶化温度T<SB>x1</SB>と第2の記録層5の結晶化温度T<SB>x2</SB>との関係が、T<SB>x1</SB><T<SB>x2</SB>であり、第1の記録層3の結晶化時間t<SB>x1</SB>と第2の記録層5の結晶化時間t<SB>x2</SB>との関係が、t<SB>x1</SB>>t<SB>x2</SB>であり、第1の記録層3が非晶質相の場合の抵抗値をR<SB>a1</SB>、第1の記録層3が結晶相の場合の抵抗値をR<SB>c1</SB>、第2の記録層5が非晶質相の場合の抵抗値をR<SB>a2</SB>、第2の記録層5が結晶相の場合の抵抗値をR<SB>c2</SB>とすると、R<SB>a1</SB>+R<SB>a2</SB>、R<SB>a1</SB>+R<SB>c2</SB>、R<SB>a2</SB>+R<SB>c1</SB>、R<SB>c1</SB>+R<SB>c2</SB>が互いに異なる。

請求項（抜粋）：

電流パルスの印加による温度上昇に起因して結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する第1の記録層と、電流パルスの印加による温度上昇に起因して結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する第2の記録層とを備えるメモリであって、前記第1の記録層の結晶化温度T<SB>x1</SB>と前記第2の記録層の結晶化温度T<SB>x2</SB>との関係が、T<SB>x1</SB><T<SB>x2</SB>であり、前記第1の記録層の結晶化時間t<SB>x1</SB>と前記第2の記録層の結晶化時間t<SB>x2</SB>との関係が、t<SB>x1</SB>>t<SB>x2</SB>であり、前記第1の記録層が非晶質相の場合の抵抗値をR<SB>a1</SB>、前記第1の記録層が結晶相の場合の抵抗値をR<SB>c1</SB>、前記第2の記録層が非晶質相の場合の抵抗値をR<SB>a2</SB>、前記第2の記録層が結晶相の場合の抵抗値をR<SB>c2</SB>とすると、R<SB>a1</SB>+R<SB>a2</SB>、R<SB>a1</SB>+R<SB>c2</SB>、R<SB>a2</SB>+R<SB>c1</SB>、R<SB>c1</SB>+R<SB>c2</SB>が互いに異なる、メモリ。