特許
J-GLOBAL ID:200903057006729859
磁気抵抗センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-104231
公開番号(公開出願番号):特開平10-294505
出願日: 1997年04月22日
公開日(公表日): 1998年11月04日
要約:
【要約】【課題】出力波形の線形性,対称性が良く、高感度の磁気抵抗センサを提供する。【解決手段】非磁性導電膜13を介して強磁性膜14と強磁性膜12が積層されており、強磁性膜14の磁化の方向は固定されており、強磁性膜12の磁化は外部磁界により回転する。強磁性膜12として、異方性磁気抵抗効果による抵抗変化量が小さい、Fe,Co,Niまたはこれらのうち一つ以上の元素を含む磁性金属材料にIrを添加した合金を用いる。
請求項(抜粋):
非磁性導電膜を介して第一の強磁性膜と第二の強磁性膜が積層されており、前記第一の強磁性膜の磁化の方向は固定されており、前記第二の強磁性膜の磁化は外部磁界により回転し、前記第一の強磁性膜の磁化の方向と前記第二の強磁性膜の磁化の方向の相対的な角度が変わることによって電気抵抗が変化する磁気抵抗センサ積層膜と、前記磁気抵抗センサ積層膜に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗センサ積層膜の電気抵抗変化を検知する手段を有する磁気抵抗センサにおいて、前記第二の強磁性膜が、Fe,Co,Niまたはこれらのうち一つ以上の元素を含む磁性金属材料に、Irを添加した合金からなることを特徴とする磁気抵抗センサ。
IPC (4件):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
FI (4件):
H01L 43/08 M
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, G01R 33/06 R
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