データを記憶するための光メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-509837
公開番号（公開出願番号）：特表平10-502190
出願日： 1994年09月15日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】本発明は光メモリに関する。このような光メモリ(30)は方向性導波管カプラ(33)を介して循環メモリ・ループ(32)に光学的に結合されたデータ・ライン(31)を含む。更に、それは、ループ(32)にリフレッシュ信号を結合するために使用されるポンプ・ライン(35)を含む。データ・ラインの場合のように、ポンプ・ラインは方向性導波管カプラ(34)を介してループ(32)に結合される。リフレッシュ・パルスは、メモリ・ループがエルビウム・イオンをドープされることによって循環する光パルスの増幅を与える。メモリ・ループ(32)の長さLは、そのループ(32)における光パルスの循環周波数が光メモリ(30)のクロック周波数に等しくなるように選択される。そのメモリは記憶された各光ビットの個別の操作を与える。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのメモリ・セルを有する光メモリ(20)にして、データ・ライン(21)と、第1状態から第2状態に切り換え可能な導波管カプラ(23)と、循環する光パルス(24)を記憶するための閉鎖した導波管メモリ・ループ(22)と、を含み、前記データ・ライン(21)は、前記導波管カプラ(23)が前記第1状態にある場合、前記データ・ライン(21)における光パルス(24)が前記メモリ・ループ(22)に結合されるように前記導波管カプラ(23)を介して前記メモリ・ループ(22)に光学的に結合され、或いは、前記導波管カプラ(23)が前記第2状態にある場合、前記メモリ・ループ(22)に結合されることなく前記導波管カプラ(23)を通過すること、及び前記メモリ・ループ(22)の長さ(L)は、前記メモリ・ループ(22)における前記光パルス(24)の循環周波数が前記光メモリ(20)のクロック周波数に等しくなるような長さであること、を特徴とする光メモリ。

IPC (4件)：

G02F 1/313 , G02F 1/35 , G11C 21/00 , H01S 3/10

FI (4件)：

G02F 1/313 , G02F 1/35 , G11C 21/00 A , H01S 3/10 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

特公平5-086714
特開平4-260295
特開昭61-115299

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