強誘電体のドメイン反転構造形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029206
公開番号（公開出願番号）：特開平6-242478
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 MgO-LN基板やMgO-LT基板の結晶破壊を招くことなく、それらの基板に所定周期のドメイン反転構造を深く、制御性良く形成する。【構成】単分極化されたMgO-LN基板1に、所定パターンのプロトン交換部3を形成した後、このプロトン交換部3に高圧電源8からコロナワイヤー4を介して電場を印加して局部的なドメイン反転部9とする際に、MgO-LN基板1としてMgOのドープ量が3 mol%〜9 mol%の範囲内にあるものを用いる。

請求項（抜粋）：

単分極化された非線形光学効果を有する強誘電体に電場を印加して局部的なドメイン反転部を形成する方法において、前記強誘電体として、MgOのドープ量が3 mol%〜9 mol%の範囲内にあるMgO-LiNbO3 基板あるいはMgO-LiTaO3 基板を用いることを特徴とする強誘電体のドメイン反転構造形成方法。

IPC (3件)：

G02F 1/37 , G02B 6/12 , G02F 1/35

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-264534
光導波路素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-209888 出願人：旭硝子株式会社
特開平3-137605

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