特許
J-GLOBAL ID:200903057051347053
錫及び錫合金めっき浴、めっき皮膜及び半導体装置用のリードフレーム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-068165
公開番号(公開出願番号):特開2000-265294
出願日: 1999年03月15日
公開日(公表日): 2000年09月26日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 電気・電子部品等のめっき材料として用いられる錫及び錫合金めっき浴において、はんだ付け性が良好で、特にこの特性が高熱環境下で劣化しない優れたはんだ付け性能を備えた錫及び錫合金めっき皮膜及び半導体装置用リードフレームを得ることを目的とする。【解決手段】 可溶性錫塩と、他の可溶性金属塩と、(1)で表される4級化された化合物とを含有するめっき浴により、優れたはんだ付け性能を備えた錫めっき皮膜、または錫合金めっき皮膜が得られる。
請求項(抜粋):
(a)可溶性錫塩と、(b)4級化された化合物と、を含有する錫めっき浴。
IPC (4件):
C25D 3/32
, C25D 3/56
, C25D 7/00
, H01L 23/50
FI (4件):
C25D 3/32
, C25D 3/56 Z
, C25D 7/00 G
, H01L 23/50 D
Fターム (20件):
4K023AA04
, 4K023AA17
, 4K023AB04
, 4K023AB34
, 4K023BA06
, 4K023BA15
, 4K023BA16
, 4K023BA22
, 4K023BA26
, 4K023BA29
, 4K023CB19
, 4K024AA07
, 4K024AA21
, 4K024AB01
, 4K024BB13
, 4K024CA02
, 4K024GA14
, 5F067AA15
, 5F067DC12
, 5F067DC16
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