高耐圧半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117145
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136435
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】基板の電界集中を緩和して高耐圧化を図った半導体素子を提供することを目的とする。【構成】高耐圧ダイオードには、n型シリコン層1に選択的に高濃度p型層2が形成され、これから所定距離離れて高濃度n型層3が形成される。高濃度p型層2と高濃度n型層3の間のn型シリコン層1の表面にシリコンより誘電率の大きい絶縁体膜8が配設され、基板表面の電界集中が緩和される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1導電型高抵抗層に選択的に第2導電型高濃度層が設けられ、この第2導電型高濃度層から所定距離離れて前記第1導電型高抵抗層に第1導電型高濃度層が設けられた構造を持つ半導体素子において、前記第2導電型高濃度層と第1導電型高濃度層との間で前記第1導電型高抵抗層の表面または底部に前記基板より誘電率の大きい絶縁体膜が配設されていることを特徴とする高耐圧半導体素子。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭48-017973
特開昭62-195133
特開平4-014266

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審査官引用 (6件)

特開昭48-017973
特開昭48-017973
特開昭62-195133

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