光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西野卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132496
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326907
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ホトダイオード内蔵ICにおいて、光の選択入射を可能にし且つガス抜きを行って遮光膜のふくれ不良を防止する。【構成】ホトダイオード21とNPNトランジスタ22を形成し、1stAlと2ndAlで配線する。2ndAlの上にポリイミド系樹脂からなる層間絶縁膜41を形成する。その上に3rdAlで遮光膜42を形成し、遮光膜42に多数の貫通孔を形成する。貫通孔の下部には回路素子を配置しないでダミーのホトダイオードとし、ここで発生したキャリアを電極52で吸い出す。貫通孔周囲の回路素子の下部に第1の分離領域27を拡張してP+埋め込み層27を形成する。

請求項（抜粋）：

同一基板上に光信号入力用のホトダイオードと信号処理回路用のトランジスタとを形成し、前記ホトダイオードの領域を除く領域を遮光膜で覆い、前記遮光膜より下層の配線層で前記トランジスタを結線すると共に、前記遮光膜と前記配線層との間をポリイミド系の絶縁膜で層間絶縁した光半導体装置において、前記遮光膜に多数の貫通孔を設け、該貫通孔を通過した光が到達する半導体領域には回路素子を配置せず、前記入射光が到達する半導体領域の周囲を高濃度分離領域で囲み、前記分離領域の周囲に回路素子を配置し、この回路素子の底部に基板と同導電型で基板より高不純物濃度の埋め込み層を設け、前記光が到達する半導体領域で発生した光生成キャリアを固定電位に逃がすことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。

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