特許
J-GLOBAL ID：200903057058854309
導電用バンプの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079519
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250501
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体素子と実装用基板とのはんだ付け時に、材質の相異によりポリイミドに加わる膨脹や収縮による歪みを確実に吸収緩和でき、またはんだまたはポリイミドバンプの付根が疲労破断するのを防止できて、該バンプの特性を生かし得る導電用バンプを容易に精度良く安定に作製できる製造方法を提供する。【構成】 ウェハ上の半導体素子1の電極パッド2上に形成されたポリイミドバンプ3の外表面に、はんだに濡れない金属膜(Al膜)7をスパッタで形成後、ウェハ全面に湿式めっき用下地金属膜(Ti/Pd膜)8をスパッタにより形成し、次に全面に感光性レジストを塗布して金属膜被覆のポリイミドバンプ3を埋込み乾燥し、バンプ頭部のみが露出するよう露光、現像後バンプ頭部にはんだに濡れるAu膜10を湿式めっきで形成した。レジストを溶解除去しAu膜をレジストとして下地のTi/Pd膜をエッチ除去しバンプを製造した。
請求項（抜粋）：
ウェハー上の半導体素子の電極パッド上に形成されたポリイミドバンプの外表面に、はんだに濡れない金属膜をスパッタリングにより形成し、次にウェハーごと全面に湿式めっき用下地金属膜をスパッタリングにより形成し、次いで全面に感光性レジストを塗布して金属膜被覆のポリイミドバンプを埋設し、次に乾燥し、金属膜被覆のポリイミドバンプの頭部のみが露出するように露光、現像し、次いで露出した金属膜被覆のポリイミドバンプの頭部にはんだに濡れる金属膜を湿式めっきにより形成し、次にレジストを溶解除去し、然る後湿式めっきにより形成したはんだに濡れる金属膜をレジストとして湿式めっき用下地金属膜をエッチング除去することを特徴とする導電用バンプの製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 E
, H01L 21/92 604 B
