特許
J-GLOBAL ID：200903057059983587

半導体素子収納用パッケージ

発明者：
池上 裕成

池上 裕成 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-070314
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267443
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】半導体素子を収容する容器と放熱体の熱膨張係数の相違に起因して放熱体が剥離したり、容器に割れや欠けが発生する。【解決手段】絶縁基体1と蓋体2とからなり、内部に半導体素子3を収納する容器4と、該容器4に取着された放熱体8とで形成された半導体素子収納用パッケージであって、前記放熱体8は、銅もしくは銅を主成分とする金属で形成され、かつ前記絶縁基体1は、BaOを5〜60重量%含有するガラス20〜80体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上であるフィラー80〜20体積%とから成り、前記ガラス及び/又はフィラー中にZr化合物をZrO2換算で0.1〜30重量%含有しているガラスセラミック焼結体で形成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁基体と蓋体とからなり、内部に半導体素子を収納する容器と、該容器に取着された放熱体とで形成された半導体素子収納用パッケージであって、前記放熱体は、銅もしくは銅を主成分とする金属で形成され、かつ前記絶縁基体は、BaOを5〜60重量%含有するガラス20〜80体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上であるフィラー80〜20体積%とから成り、前記ガラス及び/又はフィラー中にZr化合物をZrO2換算で0.1〜30重量%含有しているガラスセラミック焼結体で形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (2件)：
H01L 23/08 ,  H01L 23/34
FI (2件)：
H01L 23/08 C ,  H01L 23/34 A
Fターム (6件)：
5F036AA01 ,  5F036BA03 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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