特許
J-GLOBAL ID:200903057074025312
結晶シリコンおよびこれを用いた光電変換装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-304511
公開番号(公開出願番号):特開2005-079143
出願日: 2003年08月28日
公開日(公表日): 2005年03月24日
要約:
【課題】 BSF構造として用いるp+型半導体領域を高品質化した結晶シリコンを提供することと、それを用いた、特に高効率な太陽電池等の光電変換装置を提供すること。 【解決手段】 アルミニウムの濃度およびホウ素の濃度のそれぞれが深さ方向において同一傾向に分布し、かつ酸素を含有しているp+型半導体領域を備えている結晶シリコンとすること、および、この結晶シリコン中のp+型半導体領域をBSF構造として機能させる光電変換装置とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
アルミニウムの濃度およびホウ素の濃度のそれぞれが深さ方向において同一傾向に分布し、かつ酸素を含有したp+型半導体領域を備えていることを特徴とする結晶シリコン。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
5F051AA02
, 5F051CB03
, 5F051CB13
, 5F051CB19
, 5F051CB20
, 5F051DA03
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051HA03
引用特許:
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