薄膜トランジスタ及びその製造方法と表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275539
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102589
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】従来の結晶化方では、適切なレーザ光のエネルギー密度の範囲が狭く、製造プロセス上のわずかな変動により、半導体薄膜に結晶粒径のばらつきが生じるという課題がある。【解決手段】薄膜トランジスタを製造するため、先ず、基板1の上にゲート電極5を含む配線を形成する配線工程を行なう。次に、絶縁膜4を介して配線より上層に半導体薄膜2を形成する成膜工程を行なう。この後、半導体薄膜2に比較的高いエネルギー密度でエネルギービームを照射し、配線と重なる半導体薄膜2の部分SOMを結晶化する第一結晶化工程を行なう。続いて、半導体薄膜2に比較的低いエネルギー密度でエネルギービームを照射し、配線と重なる半導体薄膜2の部分SOMの結晶化状態を維持しつつ、配線と重ならない半導体薄膜2の部分SOIを結晶化する第二結晶化工程を行なう。最後に、結晶化された半導体薄膜2のうちゲート電極5と重なるチャネル領域を除いて選択的に不純物を注入しソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程を行う。

請求項（抜粋）：

基板の上にゲート電極を含む配線を形成する配線工程と、絶縁膜を介して該配線より上層に半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜に比較的高いエネルギー密度でエネルギービームを照射し、該配線と重なる半導体薄膜の部分を結晶化する第一結晶化工程と、該半導体薄膜に比較的低いエネルギー密度でエネルギービームを照射し、該配線と重なる半導体薄膜の部分の結晶化状態を維持しつつ、該配線と重ならない半導体薄膜の部分を結晶化する第二結晶化工程と、結晶化された該半導体薄膜のうち該ゲート電極と重なるチャネル領域を除いて選択的に不純物を注入しソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程とを行う薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365 , G09F 9/00 342 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (5件)：

G09F 9/00 342 Z , H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500

Fターム (72件)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA05 , 2H092MA07 , 2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA30 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA01 , 5F052JA01 , 5F052JA10 , 5F110AA05 , 5F110AA18 , 5F110BB02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK25 , 5F110HK39 , 5F110HK42 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL23 , 5F110HM14 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN16 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110PP03 , 5F110PP29 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5G435AA17 , 5G435EE33 , 5G435HH12 , 5G435HH14 , 5G435KK05 , 5G435KK10

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