特許
J-GLOBAL ID：200903057081759623
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295320
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206135
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】金属電極及び金属配線を有する半導体装置において、密着性及び信頼性確保のための金属膜の被着を簡単にしかもセルフアラインで配線間の短絡を発生することなく確実に行なう方法を提供する。【構成】コンタクト孔あるいはスルーホールを含む所定領域に形成した金属電極及び金属配線20をマスクに酸化性金属膜17を露出させ、熱処理等により金属膜17の表面を金属酸化膜21とし、この金属酸化膜21をマスクに電界メッキ法により金属電極及び金属配線20に金属膜22を被着させる。その後さらに熱処理等により金属電極及び金属電極20領域を除き金属膜17の全てを金属酸化膜21とし完全に電気絶縁膜とする。【効果】金属膜22をセルフアラインで形成することができ、配線が微細化しても配線間での短絡といった問題は生じない。
請求項（抜粋）：
半導体基板内或は半導体基板上に設けられた導電層を被覆する電気絶縁膜及び該電気絶縁膜に設けた開孔を含む半導体基板上に少なくとも一層の酸化性金属層を含む第1の金属膜を形成する工程と、前記第1の金属膜上の所定領域に金属電極及び金属配線を形成する工程と、前記金属電極及び金属配線を形成する領域を除き選択的に前記第1の金属膜の酸化性金属層を表面に露出させる工程と、前記第1の金属膜の酸化性金属層の表面を酸化し金属酸化膜とする工程と、前記金属電極及び金属配線の表面のみに第2の金属膜を形成する工程と、前記金属電極及び金属配線を形成する領域を除き、前記酸化性金属層の全てを金属酸化膜とする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/288
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 B
