特許

J-GLOBAL ID：200903057085574326

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宇佐美 光雄 ,  田勢 隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172253
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099267
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 信頼性が高くかつ低コストな半導体装置、特にICカードまたはマルチチップモジュールを提供すること。【構成】 薄膜にしたLSIの半導体素子の下面にシリコン窒化膜206のような保護絶縁膜をつけ基板に接着し導電性ペースト201によって基板207のメタライズパターンとLSIのパッドを接続する。【効果】 上記の保護絶縁膜を用いることにより外部からの汚染を受けやすい半導体素子の下部が保護された信頼性の高いICカードが作成でき、さらに導電性ペーストによって低コストのICカードを作製することが可能となる。

請求項（抜粋）：

配線を有する第1の基板と、該第1の基板上に接合層で接合された半導体素子とを有する半導体装置において、上記半導体素子の下面には、絶縁材料からなり、上記第1の基板側からのイオン性汚染を防止する汚染保護膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 23/12 ,  B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077 ,  H01L 23/06 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 23/12 F ,  G06K 19/00 K ,  H01L 25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-209195
  
• 特開平3-087299
  
• 特開昭63-134294
  
• 特開平2-018096