半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324211
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162136
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】シリコン半導体素子のライフタイムの局所的制御のために、基板中へのプロトン等の粒子線照射において、サイクロトロン等の超高エネルギー加速器を用いることなく、通常の半導体製造用イオン打ち込み装置で実施する方法。【解決手段】シリコン基板の結晶方位、〈110〉等に整合させてイオン打ち込みし、チャンネリング現象を利用することにより、低エネルギーでも深いイオン打ち込みを可能とする。【効果】超高エネルギー加速器が不要である。また、イオンの侵入深さの偏差の制御や結晶欠陥の発生分布の制御が可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶半導体基板の少なくとも一主表面から不純物をイオン打ち込みし、シリコン基板の不純物イオンが打ち込まれた近傍のライフタイムを局所的に低下させる方法において、不純物のイオン打ち込みはシリコン単結晶の結晶方位に沿ったチャンネリング現象を用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 21/322 , H01L 29/74

FI (4件)：

H01L 21/265 U , H01L 21/322 L , H01L 21/265 Q , H01L 29/74 Q

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