特許

J-GLOBAL ID：200903057087388910

電気的接続部形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183432
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153783
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】Al等の金属系材料が密着性良く均一かつ良好に開孔部に埋め込まれ、孔の深さの異同に伴う問題もなく、良好な電気的接続が得られる電気的接続部の形成方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】第1の金属系材料部分1上に層間膜2を形成し、該層間膜2に前記金属系材料部分1と電気的接続をとる開孔部3を形成し、前記開孔部3形成後、前記第1の金属系材料部分1を略等方的にエッチングし、その後このエッチング部分6を含め第1の金属系材料と同種の金属系材料7により埋め込むか、またはエッチング部分6のみは第2の金属系材料で埋めその他は前記金属系材料7で埋め込むことにより、電気的接続部を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の金属系材料部分上に層間膜を形成し、該層間膜に前記第1の金属系材料部分と電気的接続をとる開孔部を形成し、該開孔部を埋め込んで電気的接続部を形成する電気的接続部形成方法において、前記開孔部形成後、前記第1の金属系材料部分を略等方的にエッチングし、その後第1の金属系材料と同種の金属系材料により埋め込みを行うことにより電気的接続部を形成することを特徴とする電気的接続部形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-053532
  
• 特開平2-079446
  
• 特開昭64-011345
  
• 特開平1-201938