特許

J-GLOBAL ID：200903057094360460

半導体光集積素子及びその製造方法

発明者： 鈴木 誠 ,  青木 雅博 ,  高橋 誠 ,  谷渡 剛
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193491
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050443
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】量子井戸構造をもつ複数の異種機能を有する光素子間の100%光結合を容易に実現し、高歩留まりな作製方法を実現する。また、成長方向に均一な成長速度を得ること、光軸と直交方向に平坦な面内波長分布を得ること、埋込工程への適用を平易にすること、光通信システムの長距離化を容易に実現する素子を製造する。【構成】半導体基板1上に形成した絶縁膜パタ-ニングマスク2を用いた領域選択成長において、マスク幅並びにマスク間の目開き幅の可変範囲を数値限定し、同一の結晶成長工程で同一半導体基板1上に連続し且つ成長層厚又は組成が各光素子領域で異なる複数のバルク半導体層又は量子井戸構造3、4、5を形成し、それらのエネルギ-準位の差を利用して異種機能を有する半導体光素子を同一半導体基板1上に集積化する。

請求項（抜粋）：

単一の半導体基板上に選択成長により積層された半導体層のバンドギャップエネルギーを制御して複数の光素子を集積する半導体光集積素子の製造方法において、上記複数の光素子の少なくとも1つの光導波路部を形成するための絶縁膜パターニングマスクの目開き幅を10乃至30μmとすることを特徴とする半導体光集積素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体光集積素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180746   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-369269
  
• 特開平3-198392