特許
J-GLOBAL ID：200903057102734367
単結晶引上げ方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小堀 益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062248
公開番号（公開出願番号）：特開平6-271399
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：
【要約】【目的】 チョクラルスキー法によるSi引上げによる単結晶の育成に際して、Siメルト中への溶解を簡単に行い、しかも、引上げ単結晶中に転位を生じることのない手段の提供。【構成】 Siメルト中にガス状の窒素を吹込み、Siメルト中に窒素を固溶させる。吹込み自体は比較的簡単に行うことができ、最大溶解量に達したのちでも吹込みガスは泡状となって浮き上がるので、簡単に回収し再利用することができる。
請求項（抜粋）：
Siメルト中に窒素ガスを吹込んで窒素を固溶せしめるに際して、メルト表面から放出される窒素ガスをSiメルト表面直上で回収し、再使用する窒素ドーピング単結晶引上げ方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/04
