特許

J-GLOBAL ID：200903057103626894

半導体ウエーハの洗浄方法

発明者： 稲垣 靖史 ,  片岡 豊隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049724
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166778
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いた半導体ウェーハ表面の洗浄処理における短時間洗浄、安全性を図る。【構成】 塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いて半導体ウェーハを洗浄処理する半導体ウェーハの洗浄方法において、上記混合洗浄液における塩酸:過酸化水素の純分混合比を重量%で0.8:1〜12:1に設定し、且つ塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を28〜35.4重量%に設定する。

請求項（抜粋）：

塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いて半導体ウエーハを洗浄処理する半導体ウエーハの洗浄方法において、上記混合洗浄液における塩酸:過酸化水素の純分混合比を重量%で0.8:1〜12:1に設定し、且つ塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を28〜35.4重量%に設定することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。