特許

J-GLOBAL ID：200903057106468645

微細パターンの形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 岡部 一朗
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236100
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060583
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明はレジストパターンの新規な処理方法を含む微細パターン形成方法に関し、アダマンタン骨格を有するレジストパターンのエッチングレートが局所的に大きくなるのを防止することを目的とする。【解決手段】 エステル部にアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルの重合体、あるいはそれらのエステル類の共重合体を主成分とする化学増幅型フォトレジスト1を下地基板上に形成する(図2(a)。写真製版によりフォトレジスト1aにマスクパターンを転写する(図2(b)および図2(c))。フォトレジスト1aに化学活性線7を照射してC=O基の濃度を下げたフォトレジスト1aを形成する(図2(d))。フォトレジスト1aをマスクとしてエッチングを行うことで下地基板に微細パターンを形成する(図2(e))。

請求項（抜粋）：

所望パターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして微細パターンを形成する方法であって、エステル部にアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステルまたはα置換アクリル酸エステルの重合体、あるいはそれらのエステル類の共重合体を主成分とする化学増幅型フォトレジストを下地基板上に形成する工程と、写真製版により、前記フォトレジストにマスクパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに含まれる炭素と酸素の結合基の少なくとも一部を除去する工程と、を含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/302 J

Fターム (45件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025FA03 ,  2H025FA06 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA30 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096CA01 ,  2H096EA05 ,  2H096GA08 ,  2H096HA03 ,  2H096HA24 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB01 ,  5F004BB02 ,  5F004BB11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA23 ,  5F004EB03 ,  5F004FA04 ,  5F004FA08 ,  5F046AA07 ,  5F046AA09 ,  5F046BA04 ,  5F046CA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-039665