特許

J-GLOBAL ID：200903057109344890

不揮発性メモリ装置及びその製造方法

発明者： マンジン ジェローム キム ,  ジェイン-チェン ヤング
出願人/特許権者： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340571
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275713
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 電気的プログラムが可能で消去可能な不揮発性メモリで、チップ表面積を大幅に減少させる。さらに金属接続を減じ信頼性の向上、製造コストの低減を図る。【構成】 多結晶ゲート構造の列を画成するトレンチの側壁に方向性あるイオン・インプランテーション工程により、ソース及びドレイン領域を形成し、かつ接続用金属層は1層のみとする。

請求項（抜粋）：

次の各構成を具えてなる不揮発性メモリ装置:基板;一部分がこの基板を通じて延びている複数個の平行なトレンチ;各トレンチは、トレンチの1つの壁部を横切るように設けられた少なくとも第1ドープ領域を有する;基板上に形成された積重ね多結晶ゲート構造の行及び列のアレイで、各列は上記トレンチの2つを分離するように設けられたアレイ構造;上記ドープ領域は幅より大きな高さを有し、その高さ方向はトレンチの壁部と平行であり、幅方向はトレンチ壁部に直角である;を特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 309 D ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-213970
  
• 特開平2-000360