特許

J-GLOBAL ID：200903057112071471

半導体装置及びその製造方法

発明者： 池田 修二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162183
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008391
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 TFTの特性を改善する。【解決手段】 半導体薄膜に形成したチャネル領域15a、ドレイン領域15c及びソース領域15bと、前記半導体薄膜に対してゲート絶縁膜14を介して積層したゲート電極13aとによって構成されるTFTを有する半導体装置に関して、前記ゲート電極13aと半導体薄膜チャネル領域15aとを部分的に接続する。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜に形成したチャネル領域、ドレイン領域及びソース領域と、前記半導体薄膜に対してゲート絶縁膜を介して積層したゲート電極とによって構成されるTFTを有する半導体装置であって、前記ゲート電極と半導体薄膜チャネル領域とを部分的に接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 617 K ,  H01L 27/06 321 A ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 617 S