半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267476
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109734
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】バンプ電極を有する半導体装置の信頼性向上及び製造工程を簡略化する。【構成】半導体装置のバンプ電極形成においてパッシベーション膜102上にポリイミド系樹脂104を用い、無電界メッキにより選択的にバンプ電極106の形成を行う。

請求項（抜粋）：

半導体チップのアルミ電極上にバリアメタル(金属多層膜)を介するバンプ(金属突起)を形成する際にポリイミド系樹脂をメッキのマスクとして用いる事を特徴とする半導体装置。

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