特許

J-GLOBAL ID：200903057122127335

半導体装置及びその製造方法

発明者： 萩原 洋右 ,  富井 和志 ,  杉浦 義幸 ,  長浜 英雄 ,  鎌倉 將有
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315851
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163472
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 安定的に高い耐圧を得ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 素子形成領域4の略中央にn+型ドレイン領域5が形成され、n+型ドレイン領域5を囲むようにp+型ボディ6及びp型チャネル領域7が形成されている。そして、p+ボディ6及びp型チャネル領域7に内包されるようにn+型ソース領域8が形成され、p型チャネル領域7とn+型ドレイン領域5との間の素子形成領域4に、p-型不純物領域9が形成されている。また、p-型不純物領域9に内包されるようにp++型不純物領域10が形成され、p++型不純物領域10を内包し、かつ、p-型不純物領域9に内包されるようにp+型不純物領域15が形成されている。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体基板と、該第一導電型半導体基板の一主表面上に形成され、表面から前記第一導電型半導体基板に到達するように形成された第一導電型素子分離領域及び前記第一導電型半導体基板により絶縁分離された第二導電型エピタキシャル層から成る素子形成領域と、該素子形成領域の表面に露出するように前記素子形成領域内の略中心に形成された高濃度第二導電型ドレイン領域と、該高濃度第二導電型ドレイン領域に電気的に接続され、前記素子分離領域を跨いで他の前記素子形成領域に引き出されて成るドレイン電極と、前記高濃度第二導電型ドレイン領域を囲み、前記素子形成領域の表面に露出するように前記素子形成領域内に形成された高濃度第一導電型ボディと、前記高濃度第二導電型ドレイン領域と前記高濃度第一導電型ボディとの間の前記素子形成領域の表面に露出するように、前記素子形成領域内における前記高濃度第一導電型ボディに隣接する箇所に形成された前記高濃度第一導電型ボディよりも低濃度の第一導電型チャネル領域と、前記ドレイン電極の下部及びその近傍を除いて前記高濃度第一導電型ボディ及び第一導電型チャネル領域に内包され、前記素子形成領域の表面に露出するように前記素子形成領域内に形成された高濃度第二導電型ソース領域と、該高濃度第二導電型ソース領域と前記高濃度第二導電型ドレイン領域との間に介在する前記第一導電型チャネル領域上に絶縁膜を介して形成された絶縁ゲートと、該絶縁ゲートと電気的に接続されるように形成されたゲート電極と、前記素子形成領域の表面に露出するように前記第一導電型チャネル領域と前記高濃度第二導電型ドレイン領域との間の前記素子形成領域内に形成された前記第一導電型チャネル領域よりも低濃度の低濃度第一導電型不純物領域と、該低濃度第一導電型不純物領域に内包され、前記素子形成領域の表面に露出するように前記素子形成領域内に形成された前記高濃度第一導電型ボディよりも高濃度の高濃度第一導電型不純物領域と、前記高濃度第二導電型ソース領域及び高濃度第一導電型不純物領域と電気的に接続されるように形成されたソース電極とを有して成る半導体装置において、前記低濃度第一導電型不純物領域に内包されるとともに前記高濃度第一導電型不純物領域を内包し、前記素子形成領域の表面に露出するように前記素子形成領域内に第一導電型不純物領域を形成し、該第一導電型不純物領域の不純物濃度を、前記低濃度第一導電型不純物領域よりも高く、前記高濃度第一導電型不純物領域よりも低くしたことを特徴とする半導体装置。