特許
J-GLOBAL ID:200903057122158303
真空処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
机 昌彦
, 谷澤 靖久
, 河合 信明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-243304
公開番号(公開出願番号):特開2004-087576
出願日: 2002年08月23日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】従来の静電チャック方式のウェハ支持台上のウェハの帯電状態を測定する真空処理装置は電位センサを半導体ウェハの近傍に設置する構成であるため、電位センサ自身もエッチングされ、エッチングレート値や面内傾向特性に影響を与えると共に、このエッチングによってパーティクルを増加させる等のプロセス特性上の不具合が発生する。【解決手段】真空処理室の内部にウェハを静電吸着する支持台を有し、この真空処理室の内外に移動する測定アームを備える真空処理装置であって、ウェハの表面電位を測定する電位センサを測定アームの一部に設け、この測定アームの一部が真空処理室内にある時のみ、ウェハの表面電位を測定する構成とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
真空処理室の内部にウェハを静電吸着する支持台を有し、前記真空処理室の内外に移動する測定アームを備える真空処理装置であって、前記ウェハの表面電位を測定する電位センサは、前記測定アームの一部に設けられることを特徴とする真空処理装置。
IPC (3件):
H01L21/68
, B65G49/07
, H01L21/3065
FI (3件):
H01L21/68 A
, B65G49/07 C
, H01L21/302 106
Fターム (17件):
5F004BA04
, 5F004BB22
, 5F004BC06
, 5F004CB06
, 5F031CA02
, 5F031FA01
, 5F031FA12
, 5F031GA36
, 5F031HA16
, 5F031HA33
, 5F031HA35
, 5F031JA01
, 5F031JA09
, 5F031JA45
, 5F031JA51
, 5F031MA28
, 5F031MA32
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