特許

J-GLOBAL ID：200903057128574970

半導体装置

発明者： 保川 彰夫 ,  山村 博久 ,  茂村 達也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146906
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340394
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】使用時のパワーのオンオフが繰り返しによる半導体チップ下のはんだ層の疲労破壊の生じない半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体チップを搭載したベースを有する半導体装置において、前期半導体チップの下の前記ベースの部分に窪みを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップを搭載したベースを有する半導体装置において、前記半導体チップの下の前記ベースの部分に窪みを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/473 ,  H01L 23/12 ,  H05K 7/20

FI (3件)：

H01L 23/46 Z ,  H05K 7/20 N ,  H01L 23/12 J