特許

J-GLOBAL ID：200903057130022534

層間絶縁膜の平坦化方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 中嶋 英晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037961
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236502
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 ダミーパターンの形成を要さずに良好な平坦化を達成するために用いることができる層間絶縁膜の平坦化方法及びこのような平坦化手段を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 段差を有する下地1上に第1の絶縁膜3を形成後、この第1の絶縁膜上に別途形成した第2の絶縁膜形成用粉末6を堆積させ、第1の絶縁膜の表面に気体を流し、第1の絶縁膜の段差低部にのみ第2の絶縁膜形成用粉末を残し他を除去し、平坦化材料41を形成しまたは形成後処理することにより、第1の絶縁膜上を平坦化する。

請求項（抜粋）：

(a)段差を有する下地上に第1の絶縁膜を形成後、この第1の絶縁膜上に別途形成した第2の絶縁膜形成用粉末を堆積させる工程と、(b)第1の絶縁膜の表面に気体を流し第1の絶縁膜の段差低部にのみ第2の絶縁膜形成用粉末を残し他を除去する工程と、(c)平坦化材料を形成しまたは形成後処理することにより、第1の絶縁膜上を平坦化することを特徴とする層間絶縁膜の平坦化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/314 M ,  H01L 21/90 P