特許
J-GLOBAL ID:200903057134379160

ハイブリッド有機無機半導体発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-008832
公開番号(公開出願番号):特開平10-214992
出願日: 1998年01月20日
公開日(公表日): 1998年08月11日
要約:
【要約】【課題】 新規のハイブリッド有機無機半導体発光ダイオードを提供する。【解決手段】 本装置は、電気ルミネッセンス層と、光ルミネッセンス層からなる。電気ルミネッセンス層は、装置を作動させた時、電磁スペクトルの青または紫外線(UV)領域に電気により発光する無機GaN発光ダイオードである。光ルミネッセンス層は、GaN発光ダイオード上に付着された、光ルミネッセンス効率の高い、トリス-(8-ヒドリキシキノリン)アルミニウム、Alq3などの光ルミネッセンス有機薄膜である。電気ルミネッセンス領域からのUVの放射がAlq3を励起して、緑色に光ルミネッセンス発光する。このような光変換により、緑色(可視範囲の)で作動する発光ダイオードが形成される。青または赤などの他の色は、Alq3を適宜ドーピングすることにより得られる。
請求項(抜粋):
発光性無機電気ルミネッセンス材料の層と、有機光ルミネッセンス材料の上層からなる、ハイブリッド有機無機半導体発光ダイオード。

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