特許
J-GLOBAL ID：200903057139804497
強誘電体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134982
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349324
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 充分なペロブスカイト構造を有し、良好な強誘電体特性を示すPZT薄膜を、CVD法により広い温度範囲で形成することができる強誘電体薄膜の形成方法を提供する。【構成】 PZT層26の形成前に、下部電極であるPt層24上にTiO2、ZrO2またはこれらの混合物からなる層25を形成する。Pt層24上にPbを含まない層25が形成されているので、PZT層26中に含まれるPbがPt層24に拡散するのを防ぐことができる。よって、CVD法により600°C以上の高温でPZT薄膜を形成しても、PtとPbとが反応することがない。
請求項（抜粋）：
電極が形成された基板の該電極側表面上に、TiO2、ZrO2またはこれらの混合物からなる薄膜を形成する工程と、該TiO2、ZrO2またはこれらの混合物からなる薄膜上に、CVD法によりPZTからなる強誘電体薄膜を形成する工程と、を含む強誘電体薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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