特許

J-GLOBAL ID：200903057144487742

金属配線および/または金属プラグの形成方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030178
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229083
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 金属配線および/または金属プラグを埋め込む層間絶縁膜として膜質の劣る絶縁膜をも用いることができ、また、金属配線および/または金属プラグ形成用の金属膜として微細加工が困難なものをも用いることができる金属配線および/または金属プラグの形成方法を提供する。【解決手段】 第1層目のAl合金配線1が形成された基板上に、形成すべき第2層目の金属配線に対応した形状の型5をアモルファスカーボンやフッ素化アリルエーテルにより形成する。この型5を覆うように浸透防止層としてSiNx膜6を形成した後、その上に層間絶縁膜として多孔質SiO2 膜7を形成する。エッチバックを行うことにより、型5を露出させるとともに、多孔質SiO2 膜7の表面を平坦化する。型5を除去した後、この型5の除去部に形成された配線溝8の内部にAlを埋め込んで第2層目のAl配線9を形成する。浸透防止層としてSiOx 膜やTiN膜を用いてもよく、層間絶縁膜として有機系SiOx 膜を用いてもよい。

請求項（抜粋）：

形成すべき金属配線および/または金属プラグに対応した形状を有する型を基体上に形成する工程と、少なくとも上記型の側壁に、上記型の材料と異なる材料からなる浸透防止層を形成する工程と、少なくとも上記型の周囲を取り囲むように、上記型の材料と異なる材料からなる層間絶縁膜を形成する工程と、上記型を除去する工程と、上記型を除去することにより形成される空洞に金属を埋め込む工程とを有することを特徴とする金属配線および/または金属プラグの形成方法。