特許

J-GLOBAL ID：200903057144940137

薄膜トランジスタ

発明者： 曳地 丈人 ,  山田 高幸
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-354941
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188422
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 チャネル保護層の膜厚を厚くすること無く、オーミックコンタクト層のドライエッチングにおけるチャネル保護層の選択比を高くして、チャネル保護層の膜厚のばらつきを小さくし、TFT特性のばらつきを小さくして信頼性を向上させることができる薄膜トランジスタを提供する。【構成】 逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、チャネル保護層5が、窒化シリコン(SiNx )から成る第1の絶縁層5aと、第1の絶縁層5aの上部に形成され、オーミックコンタクト層6のドライエッチングにおけるエッチングレートが第1の絶縁層5aのSiNx より小さい酸化シリコン(SiO2 )等から成る第2の絶縁層5bとから構成される薄膜トランジスタとしている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁層を介して形成された半導体活性層と、前記半導体活性層上に前記ゲート電極に対向するよう形成されたチャネル保護層と、前記半導体活性層を覆って前記チャネル保護層の一部に重なるよう形成されたオーミックコンタクト層とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル保護層が、前記半導体活性層に接して形成される窒化シリコンから成る第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上部に形成され、前記オーミックコンタクト層のドライエッチングにおけるエッチングレートが前記第1の絶縁層より小さい第2の絶縁層とから成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。