特許

J-GLOBAL ID：200903057147364277

IR波長レーザ放射線の上位変換用導波構造

発明者： リッツ,アルント ,  ホイスラー,ゲロ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (4件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重 ,  松本 晃一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-501408
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526649
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

本発明は、IR波長レーザ放射線の上位変換用の導波構造であって、a)水分に対して安定な材料、機械的に安定な材料および/または温度的に安定な材料で実質的に構成された、少なくとも一つのベース基板層と、b)好ましくはフッ化物ガラスのような、実質的にハロゲン化物ガラスで構成され、前記ベース基板層の上に設置された少なくとも一つのアクティブ層と、を有し、前記少なくとも一つのベース基板層の前記材料は、前記少なくとも一つのアクティブ層の前記材料とは異なる組成を有することを特徴とする導波構造に関する。

請求項（抜粋）：

a)水分に対して安定な材料、機械的に安定な材料および/または温度的に安定な材料で実質的に構成された、少なくとも一つのベース基板層と、 b)好ましくはフッ化物ガラスのような、実質的にハロゲン化物ガラスで構成され、前記ベース基板層の上に設置された少なくとも一つのアクティブ層と、 を有するIR波長レーザ放射線の上位変換用の導波構造であって、 前記少なくとも一つのベース基板層の前記材料は、前記少なくとも一つのアクティブ層の前記材料とは異なる組成を有することを特徴とする導波構造。

IPC (2件)：

H01S 3/17 ,  H01S 3/093

FI (2件)：

H01S3/17 ,  H01S3/091 S

Fターム (4件)：

5F172AE07 ,  5F172AM09 ,  5F172EE13 ,  5F172EE18