特許
J-GLOBAL ID：200903057159659825
半導体ウエハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349300
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204101
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 プローブテストを短時間に容易に行える半導体ウエハを提供することを目的とする。【構成】 各チップパターン11〜14を区画するスクライブライン15の交差部には、幅が約50μmの線が十字状に交差したインデックスマーク16が形成されている。このインデックスマーク16はアルミニウムAlやポリシリコン等からなり、各チップパターン11〜14の配線工程において、絶縁膜上に蒸着あるいは堆積された各材料が配線と同時にパターニングされて形成されている。
請求項（抜粋）：
ほぼ同一幅のスクライブラインを隔ててマトリクス状に配置された複数のサブチップパターンからなるチップパターンが形成され、さらに、このチップパターンが前記スクライブラインとほぼ同一幅のスクライブラインを隔ててマトリクス状に配置されて形成された半導体ウエハにおいて、前記各チップパターンを隔てるスクライブラインの交差部近傍にマークが形成されていることを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (2件)：
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