プラズマ処理方法及びその装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280455
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227877
出願日： 1983年04月06日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】超LSI製造時の超微細金属配線パターン形成において、歩留及び信頼性向上につながる完全な腐食防止処理を可能にしたプラズマ処理装置を提供することにある。【構成】ドライエッチング室でドライエッチング処理された被処理物を、プラズマ灰化処理室でプラズマ灰化処理するプラズマ処理において、ドライエッチング処理された被処理物をドライエッチング室と真空的に接続された中継室を経由して大気に曝すことなくプラズマ灰化処理室の内部に搬送し、プラズマ灰化処理室の内部で酸素ガスを導入した状態でプラズマを発生させてドライエッチング処理された被処理物をプラズマ灰化処理すると同時に、プラズマにより基板を加熱して被処理物の表面に吸着されたエッチング処理用ガスを気化させて除去するようにした。【効果】被処理物を大気にさらすことなくして、腐食の原因となる例えば塩化物を完全に除去することができるので、大気中の水分による腐食の発生を完全に防止することができ、半導体生産の歩留りを向上できる。

請求項（抜粋）：

ドライエッチング室でドライエッチング処理された被処理物を、プラズマ灰化処理室でプラズマ灰化処理するプラズマ処理方法であって、前記ドライエッチング処理された被処理物を前記ドライエッチング室と真空的に接続された中継室を経由して大気に曝すことなくプラズマ灰化処理室の内部に搬送し、前記プラズマ灰化処理室の内部で酸素ガスを導入した状態でプラズマを発生させて前記ドライエッチング処理された被処理物をプラズマ灰化処理すると同時に、前記プラズマにより基板を加熱して前記被処理物の表面に吸着されたエッチング処理用ガスを気化させて除去することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C23F 4/00 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/302 H , B01J 19/08 E , C23F 4/00 A , H01L 21/68 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭55-087438
特開昭52-043372

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