特許

J-GLOBAL ID：200903057164685427

高温超電導体厚膜の製造法

発明者： 中田 孝夫 ,  下田 修一郎
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140491
公開番号（公開出願番号）：特開平8-333104
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 膜厚が厚くても配向性が低下することなく、また気泡が生成せず、大きな臨界電流が得られる高温超電導体厚膜の製造法を提供する。【構成】 基材上に形成した高温超電導体の膜の表面に高温超電導体前駆体の膜を形成した後、加熱して下地の高温超電導体膜の超電導体結晶を分解及び/又は溶融させずに表面の高温超電導体前駆体のみを溶融し、結晶化させる高温超電導体厚膜の製造法並びに基材上に形成した高温超電導体の膜の表面に貴金属膜を形成し、さらにその上面に高温超電導体前駆体の膜を形成した後、加熱して下地の高温超電導体膜の超電導体結晶を分解及び/又は溶融させずに表面の高温超電導体前駆体のみを溶融し、結晶化させる高温超電導体厚膜の製造法。

請求項（抜粋）：

基材上に形成した高温超電導体の膜の表面に高温超電導体前駆体の膜を形成した後、加熱して下地の高温超電導体膜の超電導体結晶を分解及び/又は溶融させずに表面の高温超電導体前駆体のみを溶融し、結晶化させることを特徴とする高温超電導体厚膜の製造法。

IPC (6件)：

C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (6件)：

C01B 13/14 ZAA Z ,  C01G 1/00 S ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA W