特許

J-GLOBAL ID：200903057171338287

半導体装置及びその製造方法

発明者： 八木下 淳 史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  関根 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150519
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294789
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 安定した駆動能力を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、一方側にソース領域が形成され、他方側にドレイン領域が形成された、Fin206と、ソース領域230とドレイン領域230との間におけるFin206上に、ゲート絶縁膜214を介して形成されたゲート電極218と、ゲート電極218の側壁部分の下側に形成された側壁部224と、ゲート電極218の側壁部分における側壁部224上に形成された側壁部222であって、側壁部224の部材に対して高い選択比を有する、側壁部222と、を有することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

凸状の第1の突部を形成する工程と、 前記第1の突部より高い位置に表面が位置するように、第1の膜を形成する工程と、 前記第1の膜上に、マスク部を形成する工程と、 前記マスク部をマスクとして用いて、前記第1の膜をエッチングする工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

FI (7件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 301X

Fターム (51件)：

5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK40 ,  5F110HK50 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA05 ,  5F140AA39 ,  5F140AC36 ,  5F140BB05 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF41 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG53 ,  5F140BH01 ,  5F140BH06 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK09 ,  5F140BK12 ,  5F140BK18 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20 ,  5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 二重ゲート・トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276580   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション