特許

J-GLOBAL ID：200903057174469200

マスタースライス型半導体集積回路

発明者： 松原 伸成
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219353
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069472
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明はマスタースライス型半導体集積回路に関し、従来と比べさらに高密度化を図ることのできる基本セル構造とする。【構成】 従来の基本セルと同様なPチャンネルトランジスタ群10、Nチャンネルトランジスタ群20に加え、これらPチャンネルトランジスタ群、Nチャンネルトランジスタ群に対し所定の位置関係をもって形成された、互いに並行に左右方向に延びる2本のゲート電極61、62とこれら2本のゲート電極により互いに上下に隔てられた3つのNチャンネルソースドレイン領域63、64、65とからなる第2のNチャンネルトランジスタ群60を有する基本セルを構造とする。

請求項（抜粋）：

互いに並行に上下方向に延びる第1及び第2のゲート電極とこれら第1及び第2のゲート電極により互いに左右に隔てられた第1、第2及び第3のPチャンネルソースドレイン領域とからなるPチャンネルトランジスタ群、該Pチャンネルトランジスタ群に上下方向に隣接して配置された、互いに並行に上下方向に延びる第3及び第4のゲート電極とこれら第3及び第4のゲート電極により互いに左右に隔てられた第1、第2及び第3のNチャンネルソースドレイン領域とからなる第1のNチャンネルトランジスタ群、並びに該第1のNチャンネルトランジスタ群に上下方向に隣接して配置された、互いに並行に左右方向に延びる第5及び第6のゲート電極とこれら第5及び第6のゲート電極により互いに上下に隔てられた第4、第5及び第6のNチャンネルソースドレイン領域とからなる第2のNチャンネルトランジスタ群を有し、前記第1のゲート電極、前記第1のPチャンネルソースドレイン領域、前記第3のゲート電極、前記第1のNチャンネルソースドレイン領域、並びに前記第5及び第6のゲート電極の各コンタクトが上下方向に延びる第1の直線上に配置され、前記第2のPチャンネルソースドレイン領域、前記第2のNチャンネルソースドレイン領域、並びに前記第4、第5及び第6のNチャンネルソースドレイン領域の各コンタクトが上下方向に延びる第2の直線上に配置され、さらに、前記第2のゲート電極、前記第3のPチャンネルソースドレイン領域、前記4のゲート電極、前記第3のNチャンネルソースドレイン領域、並びに前記第5及び第6のゲート電極の各コンタクトが上下方向に延びる第3の直線上に配置されてなる基本セルが多数配列されてなることを特徴とするマスタースライス型半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/118 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 21/82 M ,  H01L 27/08 321 J ,  H01L 27/10 321

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-017930
  
• 特開昭58-074052