特許

J-GLOBAL ID：200903057174615044

高抵抗希土類磁石とその製造方法

発明者： 大橋 健
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-237606
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083908
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 希土類磁石の磁気特性に大きな影響を与えることなく、磁石に誘起される渦電流が低減される高抵抗希土類磁石を得る。【解決手段】 原子百分率でR(Yを含む希土類元素から選択されるNdを含む1種以上)が14〜18%、Bが7〜10%、M(Co、Al、Cu、Nb、Ti、Mo、Gaの1種以上)が0.1 〜5%、Oが0.5 〜5%、残部Feからなる焼結高抵抗希土類磁石において、富希土類相に希土類酸化物の形で酸素が濃縮された組織を有し、保磁力が16kOe以上で、かつ抵抗率が4×10-4Ωcm以上であることを特徴とする高抵抗希土類磁石。

請求項（抜粋）：

原子百分率でR(Yを含む希土類元素から選択されるNdを含む1種以上)が14〜18%、Bが7〜10%、M(Co、Al、Cu、Nb、Ti、Mo、Gaの1種以上)が0.1 〜5%、Oが0.5 〜5%、残部Feからなる焼結高抵抗希土類磁石において、富希土類相に希土類酸化物の形で酸素が濃縮された組織を有し、保磁力が16kOe以上で、かつ抵抗率が4×10-4Ωcm以上であることを特徴とする高抵抗希土類磁石。

IPC (6件)：

H01F 1/08 ,  B22F 3/00 ,  C22C 33/02 ,  C22C 38/00 303 ,  H01F 1/053 ,  H01F 41/02

FI (6件)：

H01F 1/08 B ,  B22F 3/00 F ,  C22C 33/02 J ,  C22C 38/00 303 D ,  H01F 41/02 G ,  H01F 1/04 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-134907
  
• 特開昭62-134907