特許
J-GLOBAL ID：200903057177256606
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234609
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074180
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】半導体集積回路または液晶表示装置の配線工程におけるエッチング後に残存する無機質基体上のフォトレジスト膜を、低温で短時間で除去出来、且つ種々の配線および絶縁膜材料を腐食しない剥離方法を提供する。【解決手段】エッチング後の無機質基体上のフォトレジストを剥離する際、酸化剤を含有する洗浄液で、洗浄後、剥離液を使用してフォトレジスト剥離を行う。
請求項（抜粋）：
フォトレジストの剥離に先立ち、半導体基板を酸化剤を含有する洗浄液で洗浄することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 572 B
, G03F 7/42
