特許
J-GLOBAL ID：200903057178468160
非可逆回路素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187148
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051304
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 直流磁場がかかる位置に存在するスルーホール数を低減すると共にフェライトとの距離がほぼ等しくなる中心導体を用いた非可逆回路素子を提供すること。【構成】 単層両面配線基板110 の表面110aに形成され互いに120 度の交差角をなす直線状の導体パターン113,114 と、基板110 の裏面110bに形成され互いに120 度の交差角をなす導体パターン118,119 とを設け、表面の導体パターン114と裏面の導体パターン119 とをスルーホール117fを介して接続して互いに120 度の角度で交差する3つの中心導体を構成する。【効果】 スルーホールによって形成されるインダクタンス成分を低減でき、良好な可逆特性が得られる共に、各導体パターンのインダクタンスがほぼ等しくなるので、これらに接続される整合容量も等量に設定することができ、製造時における作業効率の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
互いに一端が接続され120度で交差する3つの中心導体と、該中心導体に対面配置された磁性体と、前記各中心導体の他端に接続されたコンデンサとを備えた非可逆回路素子において、配線基板の一の面に形成された直線状の第1の導体パターンと、前記配線基板の他の面に形成され、前記第1の導体パターンと120度の角度で交差する直線状の第2の導体パターンと、前記第1の導体パターンと第2の導体パターンとの交差する鋭角内に形成され、前記配線基板の一の面の他の面との間に設けられたスルーホールと、前記配線基板の他の面に形成され、前記スルーホールに一端が接続されると共に前記第1の導体パターンと120度の角度で交差し、前記第2の導体パターンに対して非平行な第3の導体パターンと、前記配線基板の一の面に形成され、前記スルーホールに一端が接続されると共に前記第2の導体パターンと120度の角度で交差し、前記第1の導体パターンに対して非平行な第4の導体パターンとから前記中心導体を構成したことを特徴とする非可逆回路素子。
IPC (2件)：
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