特許

J-GLOBAL ID：200903057179207408

半導体装置のメタル配線形成方法

発明者： 野辺 善史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-319021
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147284
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 反射防止膜の機能を達成後に、メタル配線の消失を起こすことなくボイド発生を防止し、しかも配線パターンエッチング時の残留塩素によるメタル配線の腐食を防止した半導体装置のメタル配線形成方法を提供する。【構成】 表面に反射防止膜5を有する配線層4を、バリヤ層2,3を介して下地1上に積層する工程と;前記配線層をエッチング処理して線幅の異なる複数の配線パターン6,7を形成する工程と;前記配線パターン上の反射防止膜に対しエッチング処理を施す工程と;該反射防止膜に対するエッチング処理後に、熱処理を介して前記配線パターンを覆う絶縁膜8,9を形成する工程とにより構成される。

請求項（抜粋）：

表面に反射防止膜を有する配線層を、バリヤ層を介して下地上に積層する工程と;前記配線層をエッチング処理して線幅の異なる複数の配線パターンを形成する工程と;前記配線パターン上の反射防止膜に対しエッチング処理を施す工程と;該反射防止膜に対するエッチング処理後に、熱処理を介して前記配線パターンを覆う絶縁膜を形成する工程と;からなることを特徴とする半導体装置のメタル配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 G ,  H01L 21/88 S