特許

J-GLOBAL ID：200903057179951905

水溶性レジストの剥離方法

発明者： 津山 宏一 ,  大塚 和久 ,  中祖 昭士
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035274
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250400
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】より優れたはんだの溶解抑制と、同時に、鉛の析出防止も行った水溶性レジストの剥離方法を提供すること。【構成】銅箔を積層した基板に、水溶性レジストでめっきレジストを形成し、はんだめっきを行い、その後、この水溶性レジストを剥離する水溶性レジストの剥離方法において、剥離液中に、式(1)で表される有機物、Nトリス(ヒドロキシメチル)メチルグリシン(別名:トリシン)、または、式(2)で表される有機物もしくは、これらの塩を含むこと。【化1】【化2】(上記化学式中のNは-CH2COOH基もしくは-CH2PO(OH)2基と直接結合する第3級アミンであり、R、R’は、置換基または分子鎖をしめす。)

請求項（抜粋）：

銅箔を積層した基板に、ドライフィルム等の水溶性レジストによって、めっきレジストを形成し、はんだめっきを行い、水溶性レジストを強アルカリ性水溶液で剥離する水溶性レジストの剥離方法において、剥離液中に、式(1)で表される有機物もしくは、その塩を0.05〜100g/l含むことを特徴とする水溶性レジストの剥離方法。【化1】(上記化学式中のNは-CH2COOH基と直接結合する第3級アミンであり、R、R’は、置換基または分子鎖をしめす。)

IPC (4件)：

G03F 7/42 ,  C23F 1/00 104 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭46-043123
  
• 特開昭63-183445
  
• 特開昭64-024254