特許
J-GLOBAL ID：200903057180466310
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305354
公開番号（公開出願番号）：特開平6-165049
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の表面照度を正確且つ速やかに検出できるようにすることにより、電荷蓄積時間の制御や外部信号増幅器のゲイン設定を的確に行なえるようにする【構成】 半導体基板1の表面部には、該半導体基板1の表面照度をモニターする複数個の照度モニター用フォトダイオード3Bと、複数個の照度モニター用フォトダイオード3Bのそれぞれと配線4Bを介して接続された1個の不純物拡散層5Bと、該不純物拡散層5Bと出力ゲート6Bを介して接続されたフローティングディフュージョンアンプ7Bとがそれぞれ形成されている。照度モニター用フォトダイオード3Bが分散状態で形成されているため、フローティングディフュージョンアンプ7Bから出力される電圧信号は半導体基板1の表面照度を的確に反映するので、外部信号増幅器のゲイン設定やフォトダイオードでの信号電荷蓄積時間の制御を的確且つ速やかに行なうことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に撮像用のフォトダイオードが1次元的又は2次元的に配置されてなる固体撮像装置であって、上記半導体基板上に分散して形成された該半導体基板の表面照度をモニターする複数個の照度モニター用フォトダイオードと、上記半導体基板上に形成され上記複数個の照度モニター用フォトダイオードのそれぞれと接続された1個の不純物拡散層と、上記半導体基板上に形成され上記不純物拡散層と出力ゲートを介して接続された1個のフローティングディフュージョンアンプとを備えていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
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