特許

J-GLOBAL ID：200903057181921410

パターン形成材料およびそれを用いたパターン形成方法

発明者： 右高 園子 ,  内野 正市 ,  逆水 登志夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031020
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】形成パターンの剛直性を向上し、かつ放射線照射前後の塗膜放置によるパターン形状の劣化を防ぐ。【解決手段】ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸基の一部が保護された樹脂およびそれを含む混合樹脂,芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する三級アルコール,放射線の照射により酸を発生する酸前駆体、ならびに塩基性化合物または有機塩を含むパターン形成材料。

請求項（抜粋）：

ポリヒドロキシスチレンのフェノール水酸基の一部が保護された樹脂およびそれを含む混合樹脂,芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する三級アルコール,放射線の照射により酸を発生する酸前駆体、ならびに塩基性化合物または有機塩を含むことを特徴とするパターン形成材料。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 601

FI (2件)：

H01L 21/30 502 R ,  G03F 7/038 601

Fターム (20件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA13 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB16 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025EA04 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17