薄膜の製造方法とその製造装置、および薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大前要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-106188
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134426
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】デバイス性能の低下を抑制しつつ製造プロセス温度の低温化及び製造工程数の低減が図れる薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に所定のパターン形状のエネルギー吸収体2を形成する工程と、エネルギー吸収体2上に絶縁層3を形成する工程と、絶縁層3上に半導体薄膜を形成する工程であって、エネルギー吸収体2にエネルギーを付与して該エネルギーをエネルギー吸収体2から熱として放散させることにより絶縁層3を選択的に加熱し、これによりエネルギー吸収体2の上方及びその近傍の領域と、それ以外の領域とで膜質の異なる半導体薄膜を形成する工程と、半導体薄膜をエッチングすることにより、エネルギー吸収体2の上方及びその近傍の領域以外の領域を選択的に除去して、半導体薄膜を所定の形状にパターニングする工程とを有する。

請求項（抜粋）：

基板の上に薄膜を形成する工程であって、前記基板を選択的に加熱することにより、該基板の領域毎に膜質の異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜をエッチングすることにより、該薄膜のうち所定の膜質の部分のみを選択的に除去して、前記薄膜を所定の形状にパターニングする工程とを有することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/04 , H01L 21/20 , H01L 21/3065 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/04 , H01L 21/20 , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 626 C , H01L 21/302 J

Fターム (71件)：

4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030BA40 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030HA04 , 4K030LA15 , 5F004AA03 , 5F004DA24 , 5F004DB02 , 5F004EA05 , 5F004EA38 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AE19 , 5F045BB07 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DA68 , 5F045EK17 , 5F045HA18 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052GB03 , 5F052JA02 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HJ13 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243007 出願人：株式会社日立製作所
化合物半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-123259 出願人：松下電工株式会社
特開平2-307221

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