特許

J-GLOBAL ID：200903057189372504

アツシング方法およびアツシング装置

発明者： 内田 博文
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225837
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067593
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 高ドーズのイオン注入後のレジストを除去するのに好適なアッシング方法およびアッシング装置を提供する。【構成】 半導体基板9を保持する第1の電極3に高周波を印加し、半導体基板9と離れた位置の第2の電極4及び第3の電極5をアースに接続してプラズマを生起してレジストの一部を除去した後、半導体基板9を保持する第1の電極3と第2の電極4をアースに接続して、第3の電極5に高周波を印加してプラズマを生起してレジストを除去する。これによって、1×1014cm-2以上のドーズ量でイオン注入したレジストでも除去可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を保持した第1の電極に高周波電力を印加し、前記半導体基板と離れた位置にある第2の電極および第3の電極をアースに接続してプラズマを生起し、前記半導体基板上のフォトレジストの一部を除去した後、前記第1の電極と第2の電極をアースに接続し、前記第3の電極に高周波電力を印加してプラズマを生起し、前記半導体基板上のフォトレジストを引き続き除去することを特徴とするアッシング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-241034
  
• 特開平2-303125
  
• 特開昭63-260030
  
• 特開平2-183524