特許

J-GLOBAL ID：200903057190082641

光半導体装置の製法およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物

発明者： 上西 伸二郎 ,  嶋田 克実 ,  原田 忠昭 ,  神山 博克 ,  丸橋 隆彦
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-078517
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288331
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】高い光透過性を有し、耐湿信頼性に優れた光半導体装置を提供する。【構成】GaAlAsからなる光半導体素子を、エポキシ樹脂(A成分),酸無水物系硬化剤(B成分)および硬化促進剤(C成分)を含有するエポキシ樹脂組成物を用い樹脂封止して、樹脂封止型光半導体装置を製造する光半導体装置の製法である。そして、上記A成分とB成分の当量比(酸無水物当量)が、1.3以上となるよう設定されている。

請求項（抜粋）：

GaAlAsからなる光半導体素子を、下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用い樹脂封止して、樹脂封止型光半導体装置を製造する光半導体装置の製法であって、上記(A)成分と(B)成分の当量比(酸無水物当量)が、1.3以上となるよう設定されていることを特徴とする光半導体装置の製法。(A)エポキシ樹脂。(B)酸無水物系硬化剤。(C)硬化促進剤。

IPC (5件)：

H01L 31/02 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00 ,  C08G 59/42 NKK

FI (2件)：

H01L 31/02 B ,  H01L 23/30 F