特許

J-GLOBAL ID：200903057192646666

アクティブマトリクス基板の製造方法

発明者： 西 豊 ,  船井 尚 ,  井澤 秀雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-192500
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037315
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】膜質がち密で、電気特性にも優れた絶縁膜を有するTFTの製造方法。【構成】透明絶縁性基板1上のシリコン薄膜2を覆うように、TEOSに酸化性ガスを供給し、光CVD法によりSiO2を堆積してゲート絶縁膜3を形成する。ゲート絶縁膜3上にゲート電極4を形成し、シリコン薄膜2に不純物をイオン注入し、コンタクト層5a、5bと半導体層5cとを形成する。層間絶縁膜6は、ゲート電極4およびゲート絶縁膜3を覆い、ゲート絶縁膜3と同様の方法で基板全体にわたって積層する。層間絶縁膜6およびゲート絶縁膜3を貫通し、ソース電極8とドレイン電極9を形成し、コンタクト層5a、5bに接続する。ITO膜を層間絶縁膜6の上に成膜し、絵素電極10をパターニングで形成し、ドレイン電極9と接続する。層間絶縁膜6の上の絶縁膜6’も層間絶縁膜6と同様の材料および方法により形成する。

請求項（抜粋）：

透明な絶縁性基板の上に、複数の信号配線と複数の走査配線が、両者の間に層間絶縁膜を挟んで互いに直交して配設され、隣接する各信号配線と各走査配線が囲むそれぞれの領域に、液晶を駆動する絵素電極と、該絵素電極を駆動するスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子が、絶縁膜を挟んで設けられた半導体層とゲート電極とを有する薄膜トランジスタから成る、アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絶縁膜が、アルコキシル基を有する有機シラン化合物を供給してCVD法で形成されるアクティブマトリクス基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-206968   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-133575
  
• 特開平4-110470
  
• 特開平1-035960